C’est l’une des prochaines grosses évolutions technologiques prévue pour les appareils mobiles en 2015, et pourtant, jusqu’ici, l’information était plutôt discrète à son sujet. La mémoire LPDDR4 serait enfin prête pour la production de masse, ce qui signifie que la bande passante du prochain iPhone devrait tout simplement doubler pour atteindre théoriquement les 25,6 GB/s tout en consommant moins que la précédente DDR3, des performances qui devraient se retrouver avant tout dans les appareils les plus hauts de gamme, dont fera bien sûr parti le prochain iPhone 6s mais aussi le Galaxy S6 dont les rumeurs commencent à parler, ou bien encore le successeur du LG G3…
Samsung est bien sûr particulièrement bien placé pour être servi en premier étant donné qu’il fabrique lui même cette mémoire, mais la plupart des gros fabricants ne devraient pas avoir trop de mal à se fournir en quantités suffisantes, à moins bien sûr que la demande sur certains modèles (suivez mon regard…) ne soit vraiment trop forte. Les spécifications finales de cette DRAM de dernier générations ont été validées par le JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) au mois d’août. Samsung serait déjà capable de doubler la fréquence sur ces puces mémoires, passant de 800MHz pour la LPDDR3 à 1600MHz pour la LPDDR4. Cela promet.
Concernant les smartphones sous Android, il est à noter que la LPDDR4 est seulement supportée par la génération de processeur Snapdragon 810, un soucis de rétro-compatibilité dont ne se souciera pas Apple, qui n’aura qu’à rendre compatible la nouvelle DRAM avec le SoC du A9 prévu pour l’iPhone 6s.
Sourcefudzilla
